FS33MR12W1M1H_B70 1200 V CoolSiC™ MOSFET六单元模块
综述
1200 V和33 mΩ EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET六单元模块，G1，带NTC热敏电阻，采用压接技术和氮化铝陶瓷基板。
特征描述
- 高度为12.25 mm的一流封装
- 先进的宽禁带材料
- 超低杂散电感
- 增强型一代CoolSiC™ MOSFET
- 宽栅极驱动电压范围
- +23 V和-10 V栅极-源极间电压
- 过载条件下的工作结温Tvjop高达175°C
- 压接式引脚
- 集成 NTC热敏电阻作为温度传感器
优势
- 出色的模块效率
- 降低系统成本
- 提高系统效率
- 降低冷却需求
- 实现更高开关频率
- 提高功率密度
- DCB 陶瓷基板材料具有更高热导率
图表
支持
