FF6MR12W2M1H_B70 1200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块

综述

这款第一代1200 V，6 mΩ EasyDUAL™ 2B  CoolSiC™ MOSFET半桥模块采用集成的NTC温度传感器、PressFIT压接技术和氮化铝陶瓷材料。

特征描述

  • 同类最佳高度：12.25 mm
  • 先进的宽禁带（WBG）半导体材料
  • 非常低的模块杂散电感
  • 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET 
  • 更大的栅极驱动电压范围
  • 电压范围：15至18V，以及0至-5 V
  • 扩展的最大栅源电压
  • 栅源电压：+23 V和-10 V 
  • 工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C
  • 集成了NTC温度传感器

优势

  • 优异的模块效率
  • 系统成本优势
  • 提升系统效率
  • 降低散热需求
  • 可实现更高的频率
  • 提高功率密度
  • DCB材料的导热率
  • 更好的DCB材料导热率
图表
视频

Customers of power electronics require ever more modern, easy connection technologies, which also provide a higher reliability to meet the trends to higher temperatures and new applications.

支持