FF6MR12W2M1_B11

综述

1200 V 碳化硅（CoolSiC™）MOSFET 模块

EasyDUAL™ 2B 1200 V, 6 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET, NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Also available with Thermal Interface Material. 

特征描述

  • 高电流密度
  • 较低的开关和通态损耗
  • 低电感设计
  • 模块符合 RoHS

优势

  • 冷却需求降低，可实现高效率
  • 操作频率更高
  • 增加功率密度
  • 优化客户的开发周期，降低成本

推动商用车辆电气化的网络研讨会

 

加入我们的网络研讨会，了解商用车辆电气化的趋势和半导体系统解决方案

> 点击观看

CAV不断变化—电气化如何改变商用车业务

 

本白皮书审视了e-CAV（电动商用、建筑和农用车辆）市场的应用，并介绍了英飞凌为满足用户对电子系统的极端需求而提供的解决方案。

> 立即下载

图表
仿真工具
培训

如何选择用于 SiC MOSFET 及 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器？

29:16

碳化硅 MOSFET 为电力电子领域带来众多机遇。然而，如何通过使用配备合适栅极驱动器的碳化硅 MOSFET 来实现充足的系统效益？本培训将帮助您学习如何计算碳化硅 MOSFET 的栅极电阻参考值，如何依据峰值电流和功率耗散要求来确定合适的栅极驱动 IC，以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。

硅、碳化硅还是氮化镓？功率器件的正确之选

Infineon on demand webminar Si, SiC or GaN?

观看的网络研讨会，了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。

Click to see more
支持