FF6MR12W2M1_B11

综述

1200 V 碳化硅（CoolSiC™）MOSFET 模块

EasyDUAL™ 2B 1200 V, 6 mΩ halfbridge module with CoolSiC™ MOSFET, NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Also available with Thermal Interface Material.

特征描述

  • 高电流密度
  • 较低的开关和通态损耗
  • 低电感设计
  • 模块符合 RoHS

优势

  • 冷却需求降低，可实现高效率
  • 操作频率更高
  • 增加功率密度
  • 优化客户的开发周期，降低成本

潜在应用

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