增强现实与数字世界的连接FF6MR12KM1P
综述
1200 V CoolSiC™ MOSFET双管模块
62 mm 1200 V, 6 mΩ半桥模块，采用CoolSiC™ MOSFET芯片，预涂热界面材料。
特征描述
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 可靠性强大的抗潮湿能力
- 集成一体化二极管设计，坚固耐用并具有最佳热性能
- 强大的抗宇宙辐射线能力
- 高开关速度、损耗极低
- 模块上下桥臂开关具有对称的开关特性
- 在成熟的62mm标准结构工艺大规模产线上生产，保证了CoolSiC™ MOSFET模块产品质量一致性，非常可靠。
优势
- 由于开关损耗极低，可最大限度减少冷却工作量
- 高开关频率，可以使用更少的磁性元件。因此可以减小体积和外形尺寸
- 由于模块带来的诸多好处，可以降低系统成本
图表
仿真工具
支持
