FF6MR12KM1H 1200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块
综述
62 mm、1200 V、5.5 mΩ半桥模块采用CoolSiC™ MOSFET技术、M1H芯片技术以及众所周知的62 mm封装。另提供预涂热界面材料（TIM）版本。
特征描述
- 高电流密度
- 低开关损耗
- 优异的栅极氧化层可靠性
- 集成坚固耐用的体二极管
- 强大的抗宇宙射线能力
- 高速开关
- 对称的模块设计
- 标准安装技术
优势
- 最大限度地减少散热工作
- 更小的体积和尺寸
- 更低的系统成本
图表
支持
