FF4MR20KM1H_S 2000 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块
综述
2000 V、3.5 mΩ G1 62 mm CoolSiC™ MOSFET 半桥模块采用广泛认可的62mm封装、M1H芯片技术和共源拓扑结构。
特征描述
- 高电流密度
- 低开关损耗
- 优异的栅极氧化物可靠性
- 坚固的集成体二极管
- 高宇宙射线抗扰度
- 高速开关模块
- 对称模块设计
- 标准结构技术
优势
- 最大限度地减少冷却需求
- 减小体积和尺寸
- 降低系统成本
- 提高芯片性能
- 适用于固态断路器应用
图表
支持
