FF3MR12KM1H 1200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块
综述
62 mm 1200 V 2.9 mΩ CoolSiC™ MOSFET G1半桥模块，采用知名的62mm封装和M1H芯片技术。另可提供预涂导热材料（TIM）版本。
特征描述
- 高电流密度
- 低开关损耗
- 优良的栅极氧化层可靠性
- 集成坚固的体二极管
- 抗宇宙射线干扰能力强
- 高开关速度
- 对称式模块设计
- 标准结构技术
优势
- 降低散热需求
- 减小体积和尺寸
- 降低系统成本
图表
支持
