FF11MR12W1M1_B70

综述

半桥1200 V CoolSiC™ MOSFET模块

EasyDUAL ™ 1B 1200 V、11 mΩ半桥模块，采用CoolSiC ™ MOSFET、NTC、PressFIT压接工艺和氮化铝陶瓷。

特征描述

  • 高性能氮化铝陶瓷
  • 1200 V CoolSiC™沟槽MOSFET技术
  • 一流的Easy模块封装
  • 半桥配置
  • PressFIT压接工艺

优势

  • DCB材料导热性更佳—RthJH有可能提高40%
  • CoolSiC™ MOSFET具有出色的栅氧化层可靠性
  • 功率密度和紧凑设计
  • 最大限度减小模块与散热器之间的空洞率
  • 逆变器设计人员的自由度高
  • 延长使用寿命，减少冷却工作量
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