增强现实与数字世界的连接F4-23MR12W1M1_B11
综述
1200 V四单元CoolSiC™ MOSFET模块
是1200 V、23 mΩ四单元 EasyPACK™ 1B模块，采用CoolSiC™ MOSFET和PressFIT压接技术，以及预涂热界面材料，,模块内集成有NTC。
特征描述
- 高电流密度
- 业内最佳开关和导通损耗
- 低杂散电感设计
- 集成NTC温度传感器
- PressFIT压接技术
- 符合RoHS标准
优势
- 效率极高，减少散热需求
- 提高开关频率
- 增加功率密度
- 改善客户的开发周期和成本
图表
仿真工具
培训
支持
