F3L15MR12W2M1_B69

综述

3-Level 1200 V CoolSiC™ Module

EasyPACK™ 2B 1200 V, 15 mΩ 3-Level module with CoolSiC™ MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.

特征描述

  • 高电流密度
  • 较低的开关和通态损耗
  • 低电感设计
  • 模块符合 RoHS

优势

  • 冷却需求降低，可实现高效率
  • 操作频率更高
  • 增加功率密度
  • 优化客户的开发周期，降低成本
图表
仿真工具
培训

如何选择用于 SiC MOSFET 及 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器？

碳化硅 MOSFET 为电力电子领域带来众多机遇。然而，如何通过使用配备合适栅极驱动器的碳化硅 MOSFET 来实现充足的系统效益？本培训将帮助您学习如何计算碳化硅 MOSFET 的栅极电阻参考值，如何依据峰值电流和功率耗散要求来确定合适的栅极驱动 IC，以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。

硅、碳化硅还是氮化镓？功率器件的正确之选

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