F3L11MR12W2M1HP_B19 1200 V CoolSiC™ MOSFET三电平模块

综述

这是一款第一代 1200 V、11mΩ EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET三电平模块，采用NPC2拓扑结构、NTC温度传感器、预涂热界面材料（TIM）和PressFIT压接技术。

特征描述

  • 出色封装，高度达12 mm
  • 先进的宽禁带（WBG）半导体材料
  • 非常低的模块杂散电感
  • 增强的第一代CoolSiC™ MOSFET
  • 更大的栅极驱动电压范围
  • 栅源电压：+23 V和-10 V 
  • 工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C
  • PressFIT压接引脚
  • 集成了NTC温度传感器
  • 热界面材料（TIM）

优势

  • 优异的模块效率
  • 系统成本优势
  • 提升系统效率
  • 降低散热需求
  • 可实现更高的频率
  • 提高功率密度
图表
支持