DF11MR12W1M1HF_B67

综述

1200 V CoolSiC™ MOSFET增强模块

EasyPACK™ 1B 1200 V、33 mΩ和3 MPPT增强模块：新一代增强型CoolSiC™ MOSFET、NTC和压接技术。

特征描述

  • 12 mm高、性能一流的封装
  • 先进的宽禁带材料与Easy模块封装相结合
  • 超低模块杂散电感
  • 宽反偏安全工作区（RBSOA）
  • 采用新一代增强型沟槽技术的1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • 更大的建议栅极驱动电压窗口：+15…+18 V & 0…-5 V
  • 更宽的最高栅-源电压范围：+23 V…-10 V
  • 过载条件下的Tvjop结温高达175°C
  • 压接式引脚
  • 集成NTC温度传感器

优势

  • 出色的模块效率，助力创造系统成本优势
  • 系统效率提升，助力降低散热需求
  • 实现更高频率，助力提高功率密度
  • 一流的性价比，助力降低系统成本
图表
支持