DF11MR12W1M1_B11
综述
升压器 1200 V CoolSiC™ MOSFET 模块
简洁的 1B 1200 V/11 mΩ 升压器模块搭配 CoolSiC™ MOSFET、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术,在升压级采用增强额定电流 CoolSiC™ 肖特基二极管,支持 PV 板提供更高的输入电流。
特征描述
- 高电流密度
- 同类产品中极低的开关和导通损耗
- 低电感设计
- 集成 温度检测NTC 温度传感器
- PressFIT 压接技术
- 模块符合 RoHS
优势
- 效率极高,冷却要求更低
- 更高的频率运行
- 增加功率密度
- 优化客户的开发周期,降低成本
图表
培训
支持