DF11MR12W1M1_B11

综述

升压器 1200 V CoolSiC™ MOSFET 模块

简洁的 1B 1200 V/11 mΩ 升压器模块搭配 CoolSiC™ MOSFET、NTC 温度检测和 PressFIT 压接技术，在升压级采用增强额定电流 CoolSiC™ 肖特基二极管，支持 PV 板提供更高的输入电流。

特征描述

  • 高电流密度
  • 同类产品中极低的开关和导通损耗
  • 低电感设计
  • 集成 温度检测NTC 温度传感器
  • PressFIT 压接技术
  • 模块符合 RoHS

优势

  • 效率极高，冷却要求更低
  • 更高的频率运行
  • 增加功率密度
  • 优化客户的开发周期，降低成本
图表
仿真工具
培训

如何选择用于 SiC MOSFET 及 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器？

碳化硅 MOSFET 为电力电子领域带来众多机遇。然而，如何通过使用配备合适栅极驱动器的碳化硅 MOSFET 来实现充足的系统效益？本培训将帮助您学习如何计算碳化硅 MOSFET 的栅极电阻参考值，如何依据峰值电流和功率耗散要求来确定合适的栅极驱动 IC，以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。

硅、碳化硅还是氮化镓？功率器件的正确之选

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