IMZC120R026M2H 第二代分立式1200 V CoolSiC™ MOSFET TO-247 4引脚高爬电距离封装
综述
第二代分立式1200 V、26 mΩ CoolSiC™ MOSFET采用TO-247 4引脚高爬电距离封装，在第一代技术的基础上实现了重大改进，为更经济高效、更紧凑、更易于设计和更可靠的系统提供了先进的解决方案。它在硬开关工况和软开关拓扑结构中，性能进一步增强，适用于所有常见的AC-DC、DC-DC和DC-AC转换级组合。
特征描述
- VGS = 18 V, Tvj = 25°C时，RDS(on) = 26 mΩ
- 低开关损耗
- 更宽的栅极电压范围：从-10 V到+25 V
- 更强的过载能力：最高可达Tvj = 200°C
- 短路耐受时间：2 µs
- 基准栅极阈值电压：4.2 V
- 抗寄生导通能力
- .XT互连技术
- 更紧密的VGS(th)参数分布
优势
- 更高能效
- 更优散热
- 更高功率密度
- 全新稳健性功能
- 高可靠性
- 易于并联
支持
