IMZA65R039M1H
综述
650V CoolSiC™ MOSFET – 碳化硅（SiC）MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMZA65R039M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。
英飞凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而加快开关速度，提高效率。
特征描述
- 低电容
- 更高电流下经过优化的开关行为
- 具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的整流稳健快速体二极管
- 卓越的门极氧化可靠性
- 出色的热性能
- 更高的雪崩耐量
- 可使用标准驱动程序
- 4 引脚封装
优势
- 高性能、高可靠性和易用性
- 实现高系统效率
- 降低系统成本和复杂性
- 减小系统尺寸
- 适用于具有硬换向事件的拓扑
- 适用于高温和恶劣的运行条件
- 实现双向拓扑
潜在应用
视频
培训
质量
支持
