IMZ120R060M1H
综述
采用TO247-4封装的1200V CoolSiC™沟槽式碳化硅MOSFET
IMZ120R060M1H是采用TO247-4封装的1200 V、60 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此,CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
特征描述
- 一流的开关和导通损耗
- 基准高阈值电压,Vth > 4 V
- 0V关断栅极电压,简单轻松地进行栅极驱动
- 栅源电压范围宽
- 损耗低且牢固的体二极管,可用于硬换向
- 开关关断损耗不受温度影响
- 驱动源引脚,优化开关性能
优势
- 最高效率
- 减少了冷却工作
- 提高了操作频率
- 增加了功率密度
- 降低了系统的复杂程度
![Product image for SiC Trench MOSFET in TO247-4 package](/export/sites/default/_images/product/power/Silicon-Carbide-SiC/Product_picture-1200V_CoolSIC_MOSFET_TO247-4-1.jpg_148935309.jpg)
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