IMBG120R034M2H 采用TO-263-7封装的第二代 G2 1200 V CoolSiC™ MOSFET单管

综述

采用TO-263-7（D2PAK-7L）封装的第二代 G2 1200 V，34 mΩ CoolSiC™ MOSFET单管，继承了第一代技术的优势，能够打造成本更优化、更高效、紧凑和可靠的解决方案，并加速实现系统设计。第二代技术在硬开关工况和软开关拓扑的关键品质因数上都实现了大幅提升，适用于所有常见的AC-DC、DC-DC和DC-AC功率转换应用。

特征描述

  • 导通电阻RDS(on) = 34 mΩ（VGS = 18 V，Tvj = 25°C）
  • 超低开关损耗
  • 过载运行（Tvj = 200°C）
  • 抗短路能力（2 µs）
  • 基准栅极阈值电压VGS(th) = 4.2 V
  • 抗寄生导通
  • 可以 0 V栅极电压关断
  • 适用于硬换流的高可靠性体二极管
  • .XT互连技术

优势

  • 提高能源效率
  • 降低冷却需求
  • 提高功率密度
  • 全新鲁棒性功能
  • 高可靠性
图表
支持