P-通道功率MOSFET-英飞凌infineon官网
可简化中低功率应用设计的 P 沟道功率 MOSFET
P 沟道 MOSFET 采用空穴流作为载流子，其迁移率小于 N 沟道 MOSFET 中的电子流。就功能而言，二者的主要区别在于 P 沟道 MOSFET 需要从栅极到源极的负电压 (VGS) 才能导通，而 N 沟道 MOSFET 则需要正 VGS 电压。这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁，有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术，这通常可降低整体成本。
P 沟道功率 MOSFET 产品
英飞凌可提供多种电压等级的 P 沟道功率 MOSFET。欢迎浏览下方产品。
英飞凌推出电压等级在 -12 V 至 -250 V 之间的 P 沟道功率 MOSFET 晶体管。P 沟道增强型功率 MOSFET 为设计人员带来了全新可能，其可在提升性能的同时简化电路设计，相应产品系列包括 -60 V P 沟道 MOSFET、-100 V P 沟道 MOSFET、-200 V P 沟道 MOSFET 以及 -250 V P 沟道 MOSFET。P 沟道器件的主要优势在于降低中低功率应用的设计复杂度。英飞凌的 -12 V P 沟道 MOSFET 和 -20 V P 沟道 MOSFET 系列支持行业标准的表面贴装功率封装，而 -30 V P 沟道 MOSFET 和 -40 V P 沟道 MOSFET 则经优化，旨在降低分销商的供货难度。
P 沟道功率 MOSFET 包括 -12 V P 沟道 MOSFET 产品系列，其尤为适合电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC 转换器和低压驱动应用。-30 V P 沟道 MOSFET 产品系列常用于笔记本电脑、手机和 PDA 等消费电子产品。
该系列产品支持 D²PAK、DPAK、DirectFET、IPAK、I2、PAK、PQFN、SOT-223、TO-220、TO-247、SOT-23、TSOP-6 及 SuperSO8 等封装。浏览产品表，查看包含 OptiMOS™ 产品系列的创新型 P 沟道 MOSFET 解决方案完整列表，产品电压等级在 -12 V 至 -250 V 之间。
点击电压或浏览下方的 P 沟道功率 MOSFET 列表。
P 沟道沟槽栅 MOSFET
英飞凌的 P 沟道沟槽栅 MOSFET 系列可提高设计灵活度和易用性，以满足严苛的性能要求。
低压 P 沟道 MOSFET
英飞凌提供一系列低压 P 沟道 MOSFET，不仅可延长电电池使用寿命，还能提供出色功率密度与较小的占板面积。
高压 P 沟道 MOSFET
英飞凌的高压 P 沟道 MOSFET 产品型号齐全，兼顾高效率与易用性。该系列产品包括大电流 P 沟道 MOSFET，其具备出色的换向稳健性，因此适用于硬开关和软开关（PFC 和 LLC）。
