Source-Down PQFN package

英飞凌的 OptiMOS™ 低压功率 MOSFET 通过源极底置技术展示了一种经过创新和改进的PQFN 封装概念。通过这种新封装，硅器件倒置在元件内部 。这样，源极电位即可通过导热垫（而非漏极电位）连接到 PCB。

OptiMOS™ MOSFET 3.3x3.3mm 源极底置封装现已提供 25V - 100V。 2022 年将发布包含 DSC（双面冷却）的产品组合扩展。

这项新技术有两个不同的封装版本。源极底置版本和源极底置中心门极版本，后者专门针对并联应用进行了优化。与当前的解决方案相比，源极底置具有很多优势，例如更低的RDS（on）和更高的热性能。此外，通过源极底置技术可减少主动散热，并提供更有效的热管理布局。PQFN 3.3x3.3 源极底置封装的OptiMOS™低压功率MOSFET系列的目标应用包括驱动器，电信，SMPS和服务器。