OptiMOS™ Linear FET

综述

集低 RDS(on) 与宽安全工作区 (SOA) 于一体

使用英飞凌的 OptiMOS™线性场效应晶体管，无需在导通电阻（RDS(on)）和线性模式性能（在增强型 MOSFET 的饱和区工作）之间进行权衡。OptiMOS™线性场效应晶体管的革新性的方法提供了沟槽 MOSFET 最先进的 RDS(on) ，以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区 (SOA)。

 OptiMOS™ 线性场效应晶体管 MOSFET 可通过限制高浪涌电流来防止负载损坏。该产品是电信、服务器和电池管理系统 (BMS) 中常见的热插拔、电子保险丝（电子保险丝）和电池保护功能的完美选择。采用 PQFN 3.3x3.3 封装的新型 100 V 线性 FET 还适用于以太网供电 (PoE) 应用中的软启动。 

OptiMOS™ 线性场效应晶体管可提供60V、80 V、100 V、150 V 和 200 V的电压等级，D²PAK、D²PAK-7pin、TO-Leadless (TOLL)、SuperSO8 (5x6) 和 PQFN 3.3x3.3的封装类型，可降低传导损耗、加快设置速度并缩短中断时间。

  • 宽安全工作区 (SOA)
  • 低 RDS(on)
  • 高最大脉冲电流和连续脉冲电流
  • 多种封装：D²PAK、D²PAK 7 引脚、TOLL

  • 稳健的线性模式操作
  • 低传导损耗
  • 更高的浪涌电流可加快启动并缩短停机时间
  • 兼容式封装外形，可作为直接替代品

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OptiMOS™线性FET 将低 RDS(on)与宽安全工作区相结合

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