OptiMOS™ Linear FET

采用英飞凌 OptiMOS™ 线性 FET，即可实现增强型 MOSFET 饱和区域内导通电阻 (R_DS(on)) 与线性模式能力的出色平衡。OptiMOS™ 线性 FET 是款革命性解决方案，兼顾沟槽栅 MOSFET 的出色 R_DS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区。

该产品是电信及电池管理系统中热插拔和电熔丝（电子保险丝）等常见应用的理想之选。通过限制高浪涌电流，OptiMOS™ 线性 FET MOSFET 可避免负载受损。

OptiMOS™ 线性 FET 涵盖 60 V、80 V、100 V、150 V 和 200 V 等数个电压等级，支持的封装型号包括 D²PAK、D²PAK-7 引脚和无引脚 TO (TOLL)，其可降低传导损耗，提升启动速度，并缩短停机时间。