OptiMOS™ 6 40V

创新和一流的性能是英飞凌成功向市场推出优秀产品的关键。而 OptiMOS^TM 6 系列 40V 器件再次在分立功率 MOSFETs 领域树立了新的技术标准。凭借 OptiMOS^TM 6 40V 逻辑电平系列产品，英飞凌为需要较低栅极驱动能力的应用提供了标杆解决方案。与其他替代产品相比，英飞凌领先的薄晶圆技术带来了显著的性能优势。

英飞凌的OptiMOS^TM 6功率MOSFET 40V系列产品针对各种应用和电路进行了优化，例如，针对服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器等开关电源 (SMPS)的同步整流和 ORing 电路进行优化。>详情

导通电阻(R_DS(on))和品质因数(FOM - R_DS(on)x Q_g和Q_gd)的改善使设计人员能够提高效率，简化热设计，减少并联，进而降低系统成本。

英飞凌市场领先的OptiMOS™6 功率MOSFET 40V备有两种不同的封装：

• SuperSO8 - 5 x 6 mm with R_DS(on) 范围从5.9 mΩ降至0.7 mΩ
• PQFN 3x3 - 3.3 x 3.3 mm with R_DS(on)范围从6.3 mΩ降至1.8 mΩ

OptiMOS™6 40V 结合了同类最佳的R_DS(on)以及优越的开关性能

在SMPS应用中，OptiMOS™6是完美的选择，在各种输出功率范围内优化效率，可避免在低负载和高负载条件之间进行艰难的权衡。

在低输出功率范围内，主要损耗来自于开关损耗。由于其优越的开关性能，与相同的R_DS(on) OptiMOS™5相比，OptiMOS™6 功率MOSFET BSC010N04LS6 在此范围 内实现了更高的效率。

此外，在更高的输出功率下，R_DS(on)损耗越来越占主导，OptiMOS™6可以保持优势，在整个工作范围内提供更好的性能。