OptiMOS™ 30V Half-bridge

综述

英飞凌无线充电和驱动器的优化解决方案

英飞凌将OptiMOS™技术与 PQFN3X3 封装相结合，为那些有空间关键要求的 DC-DC 应用提供了优化的解决方案。BSZ0909ND 和新型 BSZ0910ND 完美适用于无线充电或驱动器（例如多旋翼直升机、可穿戴设备）架构，设计人员着眼于在不影响效率的同时简化布局并显着节省空间。

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Power Block

Infineon image power block package top layer layout OptiMOS™

Easy and compact layout: Improved power loop (connection to input capacitors) direct PGND connection for better cooling.

Power Stage 3x3

关键特性

  • RDS（on）低的对称半桥，采用小尺寸3.0 x3.0mm²封装
  • 散热焊盘
  • 逻辑电平（额定4.5V）
  • 符合 RoHS 标准 6/6（完全无铅）

核心优势

  • 低开关损耗
  • 高开关频率操作
  • 超低寄生效应
  • 低运行温度
  • 低栅极驱动损耗
  • RoHS 6/6 无铅产品

核心应用

Infineon image OptiMOS™ Power Stage application

  • 关键特性

    • 超低Qg
    • 采用小型3.0x3.0mm²封装的对称半桥
    • 散热焊盘
    • 逻辑电平（额定4.5 V）
    • 符合 RoHS 标准 6/6（完全无铅）

    核心优势

    • 低开关损耗
    • 高开关频率操作
    • 超低寄生效应
    • 低运行温度
    • 低栅极驱动损耗
    • RoHS 6/6 无铅产品 

    核心应用

Infineon image system Diagram BS0910ND

Qi（WPC）支持单线圈和多线圈电感拓扑，使用频率为100-300kHz，在按体积衡量的智能手机市场中占据主导地位。它们的广泛使用得益于它们的成本效率。电感拓扑依赖于带内通信。

BSZ0910ND在快速开关方面是业界领先的产品，因为其具有栅源导通电阻RDS（on）的优化品质因数。

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