ISC017N04NM5
综述
采用 SuperSO8 封装的正常电平 OptiMOS™ 5 低压 MOSFET 40V
凭借正常电平 OptiMOSTM 5 40V 产品系列，英飞凌为需要正常电平（更高阈值电压）驱动能力的应用提供基准解决方案。
正常电平产品组合具备较高 Vth，避免在嘈杂环境下误开启。此外，较低的QGD/QGS 比值（CGD/CGS 分频比）可降低栅极电压的尖峰值，进而避免了误开启。
特征描述
- 正常电平栅极阈值（典型值为 2.8V）
- 结温为 175°C (Tj)
- 优化的电荷比 (QGD/QGS <0.8)，以获得 dv/dt 抗扰度
- 低栅极电荷
- 出色的耐热性
- 强大的线性模式/较高的 SOA（安全工作区）额定值
优势
- 降低开关损耗，提高系统效率和功率密度
- 适用于高频操作，支持高级电机控制技术如磁场定向控制 (FOC)、直接转矩控制 (DTC)以及块换向法。
- 可耐受浪涌、锁定转子及制动情况下的高浪涌电流
潜在应用
视频
质量
支持
