ISC015N04NM5
综述
采用 SuperSO8 封装的正常电平 OptiMOS™ 5 低压 MOSFET 40V
凭借正常电平 OptiMOSTM 5 40V 产品系列,英飞凌为需要正常电平(更高阈值电压)驱动能力的应用提供基准解决方案。
正常电平产品组合具备较高 Vth,避免在嘈杂环境下误开启。此外,较低的QGD/QGS 比值(CGD/CGS 分频比)可降低栅极电压的尖峰值,进而避免了误开启。
特征描述
- 正常电平栅极阈值(典型值为 2.8V)
- 结温为 175°C (Tj)
- 优化的电荷比 (QGD/QGS <0.8),以获得 dv/dt 抗扰度
- 低栅极电荷
- 出色的耐热性
- 强大的线性模式/较高的 SOA(安全工作区)额定值
优势
- 降低开关损耗,提高系统效率和功率密度
- 适用于高频操作,支持高级电机控制技术如磁场定向控制 (FOC)、直接转矩控制 (DTC)以及块换向法。
- 可耐受浪涌、锁定转子及制动情况下的高浪涌电流
潜在应用
视频
质量
支持