ISC007N04NM6
综述
采用 SuperSO8 封装的正常电平 40 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 应用了英飞凌新型技术
凭借先进的 40V OptiMOSTM 6 正常电平功率MOSFET，英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
此外，较低的 QGD/QGS 比（CGD/CGS 分压比）可降低栅极电压尖峰，从而进一步增强了抗意外导通的鲁棒性。ISC007N04NM6 具有非常低的 RDS(on) ，仅为 0.7mOhm。
特征描述
- N 沟道增强型
- 正常电平的栅极阈值（典型值为 2.3 V）
- MSL1
- 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的结温 (Tj)
- 电荷比优化， QGD/QGS <0.8，具有C.dv/dt 抗扰能力
- 低栅极电荷
- 100% 经过雪崩测试
- 出色的耐热性
优势
- 正常电平栅极驱动可防止嘈杂环境中的错误导通
- 栅极电荷降低，减少了开关损耗
- 适用于 FOC (磁场定向控制)和 DTC (直接转矩控制)电机控制技术
潜在应用
质量
支持
