Home 产品分类 功率器件 Power MOSFET N-通道功率MOSFET IRLH5036 IRLH5036 综述 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 封装 优势 低 RDS(ON) (低于5.5 mOhms @ Vgs = 4.5V) 降低通态损耗 对 PCB 的热阻低(低于 2.7°C/W) 实现更好地散热 100% 经过接地电阻测试,增强可靠性 纤薄外形(小于0.9 毫米),导致功率密度增加 符合行业标准的引脚,兼容多个供应商 与现有表面封装技术兼容,更容易制造 更加环保,符合 RoHS,无铅,无溴,无卤素 MSL 1 符合工业认证,增强可靠性 潜在应用 电池驱动 隔离式初级侧 MOSFET 隔离式次级侧SyncRec MOSFET 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 合作伙伴 培训 包装 质量 Please register or log in to myInfineon to request Product Reliability Data via our support portal 支持 联系