IRLH5036 综述 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 封装 优势 低 RDS(ON) (低于5.5 mOhms @ Vgs = 4.5V) 降低通态损耗 对 PCB 的热阻低(低于 2.7°C/W) 实现更好地散热 100% 经过接地电阻测试,增强可靠性 纤薄外形(小于0.9 毫米),导致功率密度增加 符合行业标准的引脚,兼容多个供应商 与现有表面封装技术兼容,更容易制造 更加环保,符合 RoHS,无铅,无溴,无卤素 MSL 1 符合工业认证,增强可靠性 潜在应用 电池驱动 隔离式初级侧 MOSFET 隔离式次级侧SyncRec MOSFET 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 指标参数 文件 订单 评估板 软件和工具 仿真工具 视频 合作伙伴 培训 包装 质量 支持 联系