IRFI4019HG-117P

综述

150V 双个 N 通道数字化音频 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220 Full-Pak(Iso)无铅且无卤素封装

优势

  • 符合 RoHS
  • 低 RDS(on)
  • 双 N 通道 MOSFET
  • 集成半桥封装
  • 针对 D 类音频放大器应用进行了优化
  • 低Qrr，可提高THD效率并改善效率
  • 低Qg和Qsw，可提高THD效率并改善效率

 

质量
支持