IRFHM8363
综述
30V 双个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 3.3mm x3.3mm 无引脚的封装
优势
- 符合 RoHS
- 低 RDS(on)
- 纤薄外形（小于1.1毫米）
- 符合行业标准的引脚
- 与现有表面封装技术兼容
- MSL1 合格
- 双 N 通道 MOSFET
支持
30V 双个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 3.3mm x3.3mm 无引脚的封装
优势
