IRFH7191

综述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B 封装

优势

  • 低 RDS(ON) (低于8.0mOhms)
  • 对 PCB 的热阻低（低于 1.2°C/W）
  • 100% 经过接地电阻测试
  • 纤薄外形（小于1.05毫米）
  • 符合行业标准的引脚
  • 与现有表面封装技术兼容
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • MSL 1
  • FastIRFET™
质量
支持