IRFH7188
综述
100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B/E 封装
优势
- 低 RDS(ON) （低于6.0 mOhms）
- 对 PCB 的热阻低（低于 0.95°C/W）
- 纤薄外形（小于1.05毫米）
- 符合行业标准的引脚
- 与现有表面封装技术兼容
- 符合 RoHS
- 无卤素
- MSL 1
- FastIRFET™
质量
支持
