IRFH7185

综述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 5x6 封装

优势

  • 低 RDS(ON) （低于5.2 mOhms）
  • 对 PCB 的热阻低（低于 0.8°C/W）
  • 100% 经过接地电阻测试
  • 纤薄外形（小于1.05毫米）
  • 符合行业标准的引脚
  • 与现有表面封装技术兼容
  • 符合 RoHS ， 无卤素
  • MSL1
  • FastIRFET™

 

 

潜在应用

  • 热插拔
  • 隔离式初级侧 MOSFET
  • 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
质量

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