IRFH7182

综述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6F 封装

优势

  • 低 RDS(ON) （低于 3.9mOhms），可降低通态损耗
  • 对 PCB 的热阻低（低于0.64°C/W），导致功率密度增加
  • 100% 经过接地电阻测试，增强可靠性
  • 纤薄外形（小于1.05 毫米），导致功率密度增加
  • 符合行业标准的引脚，兼容多个供应商
  • 与现有表面封装技术兼容，更容易制造
  • 环保——符合 RoHS 和无卤素
  • 增强可靠性——MSL1
质量

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