IRFH5306 综述 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 5mm x 6mm PQFN 封装 优势 符合 RoHS 具有业内先进的品质 低 RDS(ON) (低于1.15 mO) 对 PCB 的热阻低(低于 0.8°C/W) 100% 经过接地电阻测试 纤薄外形(小于0.9 毫米) 符合行业标准的引脚 与现有表面封装技术兼容 工业标准合格 MSL1 合格 潜在应用 隔离式初级侧 MOSFET 隔离式次级侧SyncRec MOSFET 载荷点 ControlFET 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 指标参数 文件 订单 评估板 软件和工具 仿真工具 视频 合作伙伴 培训 包装 质量 支持 联系