IRFH5306

综述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 5mm x 6mm PQFN 封装

优势

  • 符合 RoHS
  • 具有业内先进的品质
  • 低 RDS(ON) （低于1.15 mO）
  • 对 PCB 的热阻低（低于 0.8°C/W）
  • 100% 经过接地电阻测试
  • 纤薄外形（小于0.9 毫米）
  • 符合行业标准的引脚
  • 与现有表面封装技术兼容
  • 工业标准合格
  • MSL1 合格

 

潜在应用

  • 隔离式初级侧 MOSFET
  • 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
  • 载荷点 ControlFET
质量
支持