IRFH4255D

综述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装

优势

  • 在一个封装中控制和同步 MOSFET
  • 低电荷控制 MOSFET (典型为 10nC )
  • 低 RDS(ON) 同步 MOSFET（低于 2.10mOhms）
  • Q2 上具有低正向压降的本征肖特基二极管
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • MSL1
  • 符合工业认证
  • FastIRFET™
质量
支持