IRFH4226

综述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用PQFN 5 x 6 B 封装

优势

低电荷控制 MOSFET (典型为 16 nC )
低 RDS(ON) （低于2.4 mOhms）
对 PCB 的热阻低（低于 2.7 °C/W）
纤薄外形（小于0.9 毫米）
符合行业标准的引脚
与现有表面封装技术兼容
符合 RoHS ，无卤素
符合MSL1，工业认证
FastIRFET™

质量

支持