IRFB42N20D

综述

200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

优势

• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 经过充分验证的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷，可降低开关损耗
• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计

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