IRF9910

综述

20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

优势

  • 符合 RoHS
  • 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
  • 极低的栅极电荷
  • 经过充分验证的雪崩电压和电流
  • 双 N 通道 MOSFET
质量
支持