IRF8306M

综述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET 和肖特基二极管, 采用 DirectFET MX封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为23 A。

优势

  • 符合 RoHS
  • 纤薄外形（小于0.7毫米）
  • 双面冷却
  • 低通态损耗
  • 针对高频开关进行了优化
  • 低封装电感
  • 集成单片肖特基二极管

潜在应用

  • 电池保护
  • 隔离式初级侧 MOSFET
  • 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
  • 负载开关高边
  • 负载开关低边
质量
支持