IRF8306M
综述
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET 和肖特基二极管, 采用 DirectFET MX封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为23 A。
优势
- 符合 RoHS
- 纤薄外形（小于0.7毫米）
- 双面冷却
- 低通态损耗
- 针对高频开关进行了优化
- 低封装电感
- 集成单片肖特基二极管
潜在应用
- 电池保护
- 隔离式初级侧 MOSFET
- 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
- 负载开关高边
- 负载开关低边
质量
支持
