IRF7907

综述

30V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 SO-8 封装

优势

  • 符合 RoHS
  • 低 RDS(on)
  • 对 PCB 的热阻低
  • 与现有表面封装技术兼容
  • 低RDS(ON) @ 4.5V VGS
  • 极低的栅极电荷
  • 双 N 通道 MOSFET
质量

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支持