IRF6811S
综述
25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ 封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为19 A。
优势
- 符合 RoHS
- 100% 经过接地电阻测试
- 纤薄外形（小于0.7毫米）
- 双面冷却
- 针对控制FET应用进行了优化
- 低通态损耗
- 针对高频开关进行了优化
- 低封装电感
潜在应用
- 多相 ControlFET
质量
支持
