IRF6711S

综述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为19 A。

优势

  • 符合 RoHS
  • 100% 经过接地电阻测试
  • 纤薄外形（小于0.7毫米）
  • 双面冷却
  • 针对控制FET应用进行了优化
  • 针对高频开关进行了优化
  • 低封装电感

潜在应用

  • 多相 ControlFET
质量
支持