IPTC054N15NM5
综述
OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 150 V 采用 TOLT 封装，具有出色的热性能
IPTC054N15NM5 属于TOLT 封装 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 系列：采用 TO-Leaded 顶部散热封装，热性能优越。这种创新型封装结合了 OptiMOS™ 5 技术的主要特征，使英飞凌的 150 V 产品成为同类产品中的佼佼者，而且可以为高功率密度设计提供高额定电流。
依托顶部散热设计，漏极暴露在封装表面，因此可将 95% 的热量传导至散热片。相较于 TOLL 封装，TOLT 封装的 RthJA 降低了约 20%，RthJC 改善近 50%。而采用底部散热的封装类型，如 TOLL 或 D2PAK，热量则需要通过 PCB 经散热片散热，从而会导致高功率损耗。
TOLT 封装型 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 主要用于 电动工具, 轻型电动车 和 电池管理系统。
特征描述
- 低 RDS(on)
- 高额定电流
- 顶部散热
- 负引脚本体高差
- 无锡散热焊盘
优势
- 系统效率高，有助于延长电池寿命
- 高功率密度
- 出色的热性能
- 节省散热系统
- 最大限度降低至散热片的热阻
潜在应用
支持
