BSC120N12LS G

综述

逻辑电平 120 V OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 采用小型封装，低RDS（on）

逻辑电平 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 特别适用于 充电、 适配器 和 电信等应用。该器件栅极电荷低，可降低开关损耗，而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作，并且其栅极阈值电压低，因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。

特征描述

  • 采用小型封装， RDS(on) 低
  • 低栅极电荷
  • 低的输出电荷
  • 逻辑电平兼容

优势

  • 提高功率密度设计
  • 提高开关频率
  • 减少器件数量，5V 电压即可驱动
  • 可直接由微控制器驱动（慢速切换）
  • 减少系统成本

潜在应用

培训
质量
支持