BSC096N10LS5
综述
逻辑电平 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用小型封装,具有低 RDS(on)
逻辑电平 OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFET提供低栅极电荷,可在不影响导通损耗的情况下减少开关损耗。采用 SuperS08 封装的 OptiMOS™ 5(BSC096N10LS5)功率 MOSFET 可在高开关频率下运作,并且其栅极阈值电压低,因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。它可用于 充电器、 适配器 和 电信等应用
特征描述
- 采用小型封装,具有低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 较低的输出电荷
- 逻辑电平兼容
优势
- 提高功率密度设计
- 提高开关频率
- 减少器件数量,5V 电压即可驱动
- 可直接由微控制器驱动(慢速开关)
- 减少系统成本
潜在应用
视频
培训
质量
支持