Home 产品分类 功率器件 Power MOSFET N-通道功率MOSFET BSC080N12LS G BSC080N12LS G 综述 逻辑电平 120 V OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 采用小型封装,低RDS(on) 逻辑电平 OptiMOS™ 3 功率 MOSFET 特别适用于 充电、 适配器 和 电信等应用。该器件栅极电荷低,可降低开关损耗,而不影响导通损耗。逻辑电平 MOSFET 可在高开关频率下运作,并且其栅极阈值电压低,因此 MOSFET 可直接由微控制器驱动。 特征描述 采用小型封装, RDS(on) 低 低栅极电荷 低的输出电荷 逻辑电平兼容 优势 提高功率密度设计 提高开关频率 减少器件数量,5V 电压即可驱动 可直接由微控制器驱动(慢速切换) 减少系统成本 潜在应用 充电器 适配器 电信 很遗憾,您的浏览器不支持嵌入式框架(iframe)。您可以点击此处查看嵌入式页面。 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 合作伙伴 培训 包装 质量 Please register or log in to myInfineon to request Product Reliability Data via our support portal 支持 联系