IPP65R150CFD
综述
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7
650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先高压 CoolMOS™ MOSFET，具有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600V CFD 后续产品，能效进一步提升。更软的换向行为以及更优秀的电磁干扰行为，使这款产品比竞争产品明显更具优势。
特征描述
- 采用 650V 技术并集成快速体二极管
- 硬换向期间限制电压过冲
- 与 600V CFD 技术相比，Qg 显著降低
- 更窄的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口
- 设计导入容易
- 与 600V CFD 技术相比，价格更低
优势
- 体二极管重复换向时 Qrr 低，从而降低开关损耗
- 自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低 Qoss
- 减少导通和关断延迟时间
- 出色的 CoolMOS™ 质量
潜在应用
视频
质量
支持
