IPLK60R1K5PFD7
综述
采用 ThinPAK 5x6 封装的 600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPLK60R1K5PFD7) 是对 CoolMOS™ 7 消费级产品的补充。IPLK60R1K5PFD7 采用具备 1,500m Ohm RDS(on) 的 ThinPAK 5x6 封装，开关损耗较低。该封装的特点在于其 5x6 mm² 的超小尺寸和高度仅为 1mm 的纤薄外形。配合标杆性的低寄生电感，上述特点即可有效缩小封装外形尺寸并提高功率密度。CoolMOS™ PFD7 产品通过集成快速体二极管增强器件稳健性，进而节省客户的物料清单 (BOM) 成本。
此产品系列专为超高功率密度和高效率设计研发，主要应用于超高功率密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。与 CoolMOS™ P7 和 CE MOSFET 技术相比，600V CoolMOS™ PFD7 的轻载和满载效率更高，功率密度因此提高了 1.8 W/inch3
特征描述
- 极低的 FOM RDS(on) x Eoss
- 集成稳健的快速体二极管
- 高达 2 kV 的静电放电 (ESD) 保护
- RDS(on) 数值范围较广
- 出色的换流稳健性
- 低 EMI
优势
- 低开关损耗
- 相较于 CoolMOS™ 充电器技术，功率密度有所提高
- 在低功率密度驱动器应用方面，效率和热性能较之 CoolMOS™ CE 技术均有所改善
- 降低物料清单 (BOM) 成本，易于生产
- 坚固耐用，可靠稳定
- 易于选择合适部件进行设计微调
潜在应用
视频
培训
质量
支持
