IPD70R600P7S
综述
英飞凌反激式拓扑产品
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电
- 效率和热性能
- 使用方便
- 电磁干扰行为
特征描述
- 极低 FOM R DS(on) x E oss；更低 Q g、E on 和 E off
- 高性能技术
- 低开关损耗 (E oss)
- 高效率
- 优异的热性能
- 支持高速开关
- 集成保护齐纳二极管
- V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差
- 成熟的产品组合
优势
- 成本极具竞争力的技术
- 与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K
- 更高开关速度实现更高效率增益
- 更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸
- 高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平
- 轻松驱动和设计导入
- 支持更小的外形规格和更高的功率密度设计
- 优良产品的最佳选择
潜在应用
视频
培训
质量
支持
