600V CoolMOS™ P7
综述
高效率和易用性之间的完美结合
与之前的产品相比，由于Qg和Eoss电平显著降低， RDS（on）得到优化，所以 600 V CoolMOS™P7 SJ MOSFET 可以提供更高的效率和功率密度。
精选的集成栅极电阻器能够实现非常低的振铃趋势，并且由于它的体二极管对硬换相有着出色的鲁棒性，所以适用于硬开关以及像LLC这样的开关拓扑。
此外，其优秀的 ESD 功能有助于提高制造质量。600V CoolMOS™P7 提供范围广泛的 RDS（on）/封装组合，包括 THD 以及 SMD 器件，其 RDS（on）粒度为 24 mΩ - 600 mΩ，而且与所有 600V CoolMOS™产品一样，在性价比上极具竞争力。
核心功能
- 具有卓越的换相坚固性，因此适用于硬开关（PFC和LLC）
- 效率与易用性的优化平衡
- 开关损耗和导通损耗显着降低，所以 MOSFET 温度也有所降低
- 所有产品都具有>2kV (HBM) 的优良ESD 坚固性
- 与竞品相比，具有更好的 RDS (on）/封装
- 具有粒度 RDS（on）选择的大型产品系列适用于各种工业和消费类应用
核心功能
- 通过低振铃趋势和 PFC 及 PWM 阶段的使用，实现易用性和快速设计
- 由于具有低开关损耗和导通损耗，所以效率得到提高并且散热管理得到简化
- 由于>2kV，所以制造质量更高
- ESD保护
- 通过使用封装更小的产品实现高功率密度的解决方案
- 适用于各种应用和功率范围
与竞品相比，600 V CoolMOS™P7 的效率提高达1.5％，MOSFET温度降低达4.2°C。与前代CoolMOS™系列和竞品相比，其栅极电荷Qg和Eoss降低了 30-60％，因此驱动损耗和开关损耗得以降低，从而在各功率等级可以实现高效率。此外，优化的RDS（on）可以实现更小的封装和更高的功率密度。
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