TO-Leadless

综述

采用TO-Leadless (第七代)的 600V 和 650V CoolMOS™ C7 Gold 超结 MOSFET - 在高效率和易用性方面达到完美的平衡

改进的650V CoolMOS™C7和600V CoolMOS™C7超结（SJ）MOSFET技术的结合，加上套件和4引脚开尔文源选项的低寄生电感，以及TOLL套件改进的热性能都齐发力，首次实现了表面安装技术（或SMD）在中高功率升压或功率因数修正电路（PFC）中的应用。

这使得客户在功率密度和制造成本降低方面都有所获益，所有这些都具有很高的品质，其部件都易于使用。650V CoolMOS™G7针对硬开关拓扑进行了优化，例如功率因数修正、升压电路或双晶体三级管正激。除了适用于硬开关拓扑外，600V CoolMOS™G7 SJ MOSFET还可在谐振拓扑（如LLC）中表现出出色的性能。

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特性

600V CoolMOS™ G7:

  • 出色品质因数 QG*RDS(on) RDS(on) x Qg 和
  • RDS(on) x Eoss
  • 世界上较低的 (RDS(on))/套件

TO-Leadless 套件:

  • 与D²PAK和TO-220相比节省空间
  • MSL1兼容、波焊和回流焊
  • 对沟槽引线进行目视检查
  • 用于开尔文源连接的4引脚选项，低寄生电感
  • 与D²PAK相比有热改善，与TO-220相似

优势

600V CoolMOS™ G7:

  • 通过降低开关损耗来实现高系统效率
  • 提高性能和功率密度

TO-Leadless 套件:

  • 提升功率密度
  • 高品质，使用方便
  • 改善制造
  • 提高效率与易用性
  • 可在更大的电流应用中使用

英飞凌已经在D²PAK中安装了较为出色的R DS(on)如今CoolMOS™G7 和TO-Leadless套件经过再次改进，所占空间更小。

TO-Leadless 功率密度 - 套件 和 RDS(on)

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